一、已实现国产替代的设备领域
刻蚀设备
中微公司5nm刻蚀机打入台积电供应链，北方华创14nm刻蚀机覆盖全工艺链，两者合计占国内新增产线25%份额。
国产化率在28nm及以上成熟制程达80%。
薄膜沉积设备
拓荆科技为国内唯一量产PECVD和ALD设备的厂商，12英寸产线覆盖率超80%。
清洗设备
盛美上海单片清洗设备全球领先，绑定中芯国际先进产线。
CMP设备（化学机械抛光）
华海清科垄断国产市场，是国内唯一12英寸抛光设备供应商。
测试分选设备
长川科技（营收3323亿元）、华峰测控等企业主导，预计2025年国产化率将达60%。
二、仍依赖进口的核心设备
光刻机
上海微电子28nm DUV光刻机进入产线测试（国产化率90%），但EUV光刻机完全依赖ASML。
7nm以下制程所需的高端光刻机100%进口。
量测与缺陷检测设备
中科飞测掌握2Xnm缺陷检测技术，但7nm以下检测设备仍需进口KLA产品。
离子注入机
万业企业子公司凯世通的12英寸设备刚导入长鑫存储，高端机型仍被应用材料垄断。
高端零部件
静电吸盘（ESC）、射频电源、高精度阀门等底层部件进口依赖度超70%。
三、国产替代核心瓶颈
材料纯度
12英寸硅片翘曲度（<5μm）、金属杂质控制（<0.1ppt）与美国仍有差距。
设备生态链
单晶炉（Kayex）、检测设备（KLA）等关键装备依赖进口，制约全链条自主化。
政策支持焦点
国家大基金三期3440亿元重点投入设备与材料环节，目标2030年高端硅片进口依赖度降至10%以下。
数据备注：2025年Q1中国半导体设备进口量增4.7%但金额降9.4%，反映成熟制程设备本土化加速；同期高端设备进口额仍占国内需求的61%。
