BXCEN-1270扩散炉：适用于扩散（硼扩、磷扩）、氧化、合金、退火等工艺。
扩散炉应用：应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用2~8英寸工艺尺寸
产品特点：
◆主机为水平一至四管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统（可选），对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器（可选）：操作方便、无摩擦污染等
◆关键部全部采用进口（可选），确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管路），流量控制采用进口质量流量计
◆采用进口温控系统，控温精度高，温区控温稳定性好；
◆具有断电报警、超温报警、极限超温、加热异常、程序异常报警等多种安全保护功能（功能可添加）
◆采用进口材质加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命
扩散炉主要技术指标：
1、工艺说明
1.1氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水、氢氧合成-内/外点火）
1.2扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等）
1.3合金、退火等工艺
2、系统组成：主机（加热体、石英/SiC管、功率组件等)、自动送片（可选，悬臂-SiC）净化工作台、气路气源系统（气源柜）、计算机控系统等组成（进口/国产组件可选）
3、扩散炉控制方式：手动送片/自动送片
4、扩散炉配置（可选）：
4.1仪表控制：计算机/触摸屏控制
4.2工艺管：（水平结构）1-4管
4.3工艺规格：2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片（工艺腔体为石英或碳化硅）
4.4恒温区长度：1100mm/800mm/600mm/450mm（可定制）
4.5晶圆装载：悬臂式，刚玉/碳化硅杆，碳化硅桨
4.6工作台：有净化/无净化
4.7工艺气路：对应的工艺气路，气路阀门组件采用国际优质品牌产品（如SWAGELOK、PARK、SANDVIK、CARDINAL等等），MFC国际优质（如MKS、UNIT、STEC等）
5、扩散炉主要技术参数：
5.1工作温度：200～1370℃
5.2加热体控制点：3/5点
5.3炉体恒温区：450mm-1100mm（可定制）
5.4仪表控温精度：±0.2℃
5.5扩散炉最大可控升温速度：15℃/min
5.6扩散炉最大降温速度：5℃/min（900～1300℃）
5.7扩散炉供电：三相四线，380VAC/50HZ
6、扩散炉结构尺寸：水平扩散炉/垂直扩散炉
